Материал: FE34kIHFh8

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

7.ОФОРМЛЕНИЕ ОТЧЕТА

1.Титульный лист оформляется по типу титульного листа методических указаний, с указанием справа внизу данных исполнителя: Студент гр. 2211 ФЭЛ И. И. ИВАНОВ

2.Исходные данные для выполнения курсовой работы. Указать объект и цель работы и привести выданные исходные значения параметров усилителя.

3.Параметры биполярного транзистора. Указать типичное обозначение параметра, его полное название и измеренное значение.

4.Принципиальная схема усилителя, назначение и принцип действия. Кратко объяснить назначение каждого элемента схемы.

5.Расчет и экспериментальная проверка положения рабочей точки. Привести графоаналитический расчет рабочей точки, компьютерный расчет. Сравнить с результатами эксперимента.

6.Амплитудные характеристики усилителя: а) с обратной связью; б) без обратной связи. Привести экспериментальные и расчетные графики амплитудных характеристик и пояснения к ним. Объяснить причины нелинейности.

7.Амплитудно-частотные характеристики усилителя. Привести экспериментальные и расчетные графики АЧХ: а) с обратной связью; б) без обратной связи. Для режимов с обратной связью по току и без нее привести расчет выходной емкости, верхней и нижней и частот среза усилителя. Провести сравнительный анализ экспериментальных и теоретических АЧХ.

8.Выводы по работе, где поясняется, решена ли поставленная задача полностью или частично, какие параметры достигнуты и какие проблемы возникли в процессе ее решения.

9.Протокол измерений.

Список литературы

1.Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Физмат-

лит, 2008.

2.Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов. М.: Высш. шк., 2012.

3.Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1983.

4.Разевиг В. Д. Схемотехническое моделирование с помощью MicroCap 7. М.: Горячая линия – Телеком, 2003.

31

 

СОДЕРЖАНИЕ

 

1.

МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА .....................

3

 

1.1. Модель Гуммеля – Пуна биполярного транзистора ...................

3

 

1.1.1. Измерение основных параметров транзистора для

 

 

модели Гуммеля – Пуна.......................................................

5

 

1.1.2. Формирование модели транзистора для использования

 

 

в SPICE-программе .............................................................

17

 

1.2. Характеристики и параметры биполярного транзистора

 

 

в режиме малых сигналов ...........................................................

18

2.

СХЕМА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ.......................................................

19

 

2.1. Принцип работы схемы с общим эмиттером .............................

19

 

2.2. Схема с общим эмиттером и отрицательной обратной связью

 

по току...........................................................................................

23

 

2.2.1. Установка рабочей точки и расчет усилителя...................

25

3.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ

 

 

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.......................................................

29

4.

РАСЧЕТ ПОЛОЖЕНИЯ РАБОЧЕЙ ТОЧКИ И ПАРАМЕТРОВ

 

 

СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЯ ПО АНАЛИТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ..................

29

5.

РАСЧЕТ СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЯ ПО SPICE-ПРОГРАММЕ ................

29

6.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЯ.........

30

7.

ОФОРМЛЕНИЕ ОТЧЕТА.....................................................................

31

Список литературы .................................................................................

31

Редактор И. Г. Скачек, Н. В. Лукина

--------------------------------------------------------------------------------------------------

Подписано в печать 29.12.14. Формат 60х84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Гарнитура "Arial". Печ. л. 2.0.

Тираж 10 экз. Заказ 248.

--------------------------------------------------------------------------------------------------

Издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5

32