60
2.2.2 Процессоры Pentium D и Pentium Extreme Edition
На базе ядра Smithfield Intel выпускает два типа процессоров: общеупотребительные Pentium D и элитные Pentium Extreme Edition. Двухъядерные CPU Pentium D, подобно обычным Pentium 4 упаковываются в LGA775 корпусировку и работают с частотой шины 800 МГц. Правда, совместимы с данными CPU далеко не все материнские платы: используются платы, основанные на современных чипсетах, поддерживающих двухъядерность
(NVIDIA nForce4 SLI Intel Edition или Intel 955X). В старых же ма-
теринских платах двухъядерные процессоры Intel не работают. Линейка CPU Pentium D представлена тремя моделями: с
частотами 2.8, 3.0 и 3.2 ГГц с процессорными номерами 820, 830 и 840 соответственно. В них отключена технология HyperThreading. То есть Pentium D, подобно привычным Pentium 4 представляется в операционной системе двумя процессорами. Процессоры же Pentium Extreme Edition — это логическое продолжение линейки Pentium 4 Extreme Edition, ориентированной на высокообеспеченных энтузиастов.
Таблица 2.1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тактовая |
Частота |
Размер L2 |
Hyper- |
Demand |
||
|
Based |
||||||
|
частота |
шины |
кеша |
Threading |
|||
|
Switching |
||||||
Pentium |
3.2 ГГц |
800 МГц |
2 М6 |
|
|
||
Extreme |
(1 М6 на |
Есть |
Есть |
||||
Edition 840 |
|
|
|
ядро) |
|
|
|
Pentium D |
|
|
|
2 М6 |
|
|
|
3.2 |
ГГц |
800 МГц |
(1 М6 на |
Нет |
Есть |
||
840 |
|||||||
|
|
|
ядро) |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
Pentium D |
|
|
|
2 М6 |
|
|
|
3.0 |
ГГц |
800 МГц |
(1 М6 на |
Нет |
Есть |
||
830 |
|||||||
|
|
|
ядро) |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
Pentium D |
|
ГГц |
800 МГц |
2 М6 |
Нет |
Нет |
|
2.8 |
(1 М6 на |
||||||
820 |
|||||||
|
|
|
ядро) |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
61 |
|
|
|
|
Таблица 2.2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Intel Pentium 4 |
Pentium |
|
Pentium D |
Intel Pentium 4 |
Intel Pentium 4 |
|
|
Extreme Edition |
Extreme Edition |
|
6XX |
5XX |
|
|
|
|
|
|
||||
Процессорное ядро |
Prescott-2M |
Smithfield |
|
Smithfield |
Prescott-2M |
Prescott |
|
Socket |
LGA77 |
LGA77 |
|
LGA77 |
LGA77 |
LGA775 |
|
Число ядер |
1 |
2 |
|
2 |
1 |
1 |
|
Частоты |
3.73 ГГц |
3.2 ГГц |
|
До 3.2 ГГц |
До 3.6 ГГц |
До 3.8 ГГц |
|
Частота шины |
1066 МГц |
800 МГц |
|
800 МГц |
800 МГц |
800 МГц |
|
Технология про- |
0.09 мкм, «рас- |
0.09 мкм, «рас- |
|
0.09 мкм, «растя- |
0.09 мкм, «растя- |
0.09 мкм, «растя- |
|
изводства |
тянутый» крем- |
тянутый» крем- |
|
нутый» кремний |
нутый» кремний |
нутый» кремний |
|
|
ний |
ний |
|
|
|
|
|
Число транзисто- |
169 млн |
230 млн |
|
230 млн |
169 млн |
125 млн |
61 |
ров |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Площадь ядра |
135 кв. мм |
206 кв. мм |
|
206 кв. мм |
135 кв. мм |
112 кв. мм |
|
L1 кеш данных |
16 Кбайт |
2x16 Кбайт |
|
2x16 Кбайт |
16 Кбайт |
16 Кбайт |
|
L1 кешинструкций |
12000 uops |
2x12000 uops |
|
2x12000 uops |
12000 uops |
12000 uops |
|
L2 кеш |
2048 Кбайт |
2х1024 Кбайт |
|
2х1024 Кбайт |
2048 Кбайт |
1024Кбайт |
|
L3 кеш |
– |
– |
|
– |
– |
– |
|
Наборы SIMD ин- |
SSE3/SSE2/SSE |
SSE3/SSE2/SSE |
|
SSE3/SSE2/SSE |
SSE3/SSE2/SSE |
SSE3/SSE2/SSE |
|
струкций |
|
|
|
|
|
|
|
EM64T |
+ |
+ |
|
+ |
+ |
Опционально |
|
Hyper-Threading |
+ |
+ |
|
– |
+ |
+ |
|
Execute Disable Bit |
+ |
+ |
|
+ |
+ |
+ |
|
Intel Enhanced |
– |
+ |
|
+ |
+ |
– |
|
SpeedStep |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
62
Первая и единственная модель процессора Pentium Extreme Edition 840 также представляет собой двухъядерный Smithfield, работающий на частоте 3.2 ГГц. Со включённой технологией
Hyper-Threading, то есть, Pentium Extreme Edition 840 представля-
ется в операционной системе четырьмя логическими CPU. Pentium Extreme Edition 840 (в отличие от Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц) рассчитан на 800 МГц шину. Уже существующая системная шина с частотой 1067 МГц, оставлена для будущих модификаций двухъядерных CPU.
Напряжение питания 1.25 В — 1.388 В; тепловделение — 130 Вт; макс. температура корпуса — 69.8 °С, в связи с чем материнская плата должна иметь качественный конвертер питания процессора, и мощный блок питания.
Как видно на диаграмме ниже, Pentium Extreme Edition 840 —
чемпион по энергопотреблению, этот процессор более прожорлив, чем старший из Athlon 64 X2 (на 86 %). Напомним, что при этом частота Pentium Extreme Edition 840 снижена до 3.2 ГГц, а
частота Athlon 64 X2 4800+ составляет 2.4 ГГц, как и у старших
CPU семейства Athlon 64.
Athlon 64 3800+ (E3)
Athlon 64 3800+ (CG)
Athlon 64 X2 4800+
Athlon 64 FX-55
Pentium 4 660
Pentium 4 XE 3,73
Pentium 4 570
Pentium XE 840
0,0 |
50,0 |
100,0 |
150,0 |
200,0 |
Рис. 2.2 — Энергопотребление
На настоящий момент целиком снято с производства всё семейство процессоров Intel Pentium D 8XX.
63
2.2.3 Технологический процесс 65 нм
Архитектура NetBurst изначально представлялась Intel как архитектура с огромным запасом производительности, который со временем можно будет задействовать путём постепенного наращивания тактовых частот. Однако на практике оказалось, что увеличение тактовой частоты процессора влечёт за собой и возрастание его тепловыделения и энергопотребления. Что показало несостоятельность идеологии NetBurst. Отказавшись от вкладывания сил в развитие NetBurst, компания Intel не отказалась от создания процессоров на основе этой архитектуры, по крайней мере, до тех пор, пока ей не появится достойной альтернативы. Связано это с внедрением нового технологического процесса с нормами 65 нм. Не изменились по сравнению с 90 нм технологическим процессом используемые для создания транзисторов материалы, новые ядра выращиваются на 300 мм пластинах (как и при выпуске 90 нм процессоров); UV литография с длиной волны 193 нм, комбинируемая с технологией фазового сдвига. Произошло плановое уменьшение до 35 нм эффективной ширины затвора транзисторов (на 30 % меньше, чем при 90 нм технологии).
Рис. 2.3 — Уменьшение ширины затвора транзисторов до 35 нм
Применяемая для борьбы с токами утечки технология напряжённого кремния обрела в 65 нм производстве свою усовершенствованную версию. В ней при сохранении толщины изоля-
64
ционного слоя затвора на уровне 1.2 нм примерно на 15 % увеличилась деформация каналов транзисторов. Это дало четырёхкратное уменьшение токов утечки, которое, в конечном итоге, выливается в возможность примерно 30 % увеличения частоты срабатывания транзисторов без возрастания их тепловыделения.
Рис. 2.4 — Изоляционный слой затвора
Увеличение числа слоёв медных соединений, в новом процессе их восемь, (что на один больше, чем в ядрах, 90 нм техпроцесса) упростит проектирование будущих кристаллов.
Рис. 2.5 — Восемь слоев медных соединений