16
H01L29/73 – биполярные приборы типа транзисторов, т. е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы; биполярные плоскостные транзисторы – объект 1;
H01L29/74 – биполярные приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией – объект 2;
H01L29/762 – униполярные приборы с переносом заряда – объект 3; H01L29/772 – униполярные приборы, полевые транзисторы– объект 4; Примечание: в процессе проведения патентного поиска количество
рубрик МПК может быть уточнено.
2. Типы полупроводниковых приборов, управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходи выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток – H01L29/861 – диоды – объект 5.
Руководитель |
И. И. Иванов |
17
3.2.3Пример оформления титульного листа отчета
опатентных исследованиях
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
УТВЕРЖДАЮ Зав. кафедрой ПрЭ
____________С.С. Смирнов «_____» __________2017 г.
ОТЧЕТ
о патентных исследованиях по теме:
Типы полупроводниковых приборов
Руководитель проекта |
И. И. Иванов |
Отчет выполнил |
А. Б. Петров |
|
гр. 364/1 |
Томск – 2017
18
Патентный поиск проведен в соответствии с заданием № 1 на проведение патентных исследований, утвержденным 05.02.2017 г. зав. кафедрой ПрЭ С.С. Смирновым, и регламентом поиска по заданию № 1.
Начало поиска: 05.02.2017 г. Окончание поиска: 30.03.2017 г.
Согласно регламенту поиск проведен по 5 рубрикам МПК, начиная
с2007 г., т. е. на глубину 10 лет. В полном объеме поиск проведен по РФ
сиспользованием бесплатного ресурса сайта ФИПС: http://www1.fips.ru.
(Объем исследований определен руководителем проекта, исходя из технической сути объекта, а также имеющимися возможностями доступа к патентной информации по бесплатному каналу сети Интернет и имеющимся патентным фондом ТУСУР и других университетов г. Томска).
Содержание
1 Список исполнителей
2 Основная (аналитическая) часть отчета
2.1Общие данные об объекте исследований
2.2Таблица 1 – распределение патентных патентов РФ по годам публикации
2.3Таблица 2 – динамика изобретательской активности (рост суммарного количества патентов) за исследуемый период
2.4Построение кривых динамики патентования исследуемого объекта в РФ
2.5Анализ кривых динамики патентования
3Заключение (выводы)
4Литература
19
1 Список исполнителей
Руководитель проекта |
|
канд. техн. наук, доцент |
И. И. Иванов |
Исполнитель темы |
А. Б. Петров, гр.364/1 |
Консультант |
Г. А. Соколова |
3.2.4 Основная часть отчета
2 Основная (аналитическая) часть отчета
2.1 Общие данные об объекте исследований
Предметом патентных исследований являются профессионально интересующие меня некоторые типы полупроводниковых приборов, такие как: биполярные плоскостные транзисторы, полевые транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT – транзисторы), тиристоры и диоды. Эти полупроводниковые приборы являются важными компонентами в современной силовой электронике и позволяют разрабатывать современные быстродействующие и малогабаритные преобразователи электрической энергии.
Патентные исследования были проведены согласно разработанному регламенту по следующим индексам МПК.
1. Типы полупроводниковых приборов, управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток:
H01L29/73 – биполярные приборы типа транзисторов, т. е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы; биполярные плоскостные транзисторы – объект 1;
H01L29/74 – биполярные приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией – объект 2;
H01L29/762 – униполярные приборы с переносом заряда – объект 3; H01L29/772 – униполярные приборы, полевые транзисторы– объект 4.
20
2. Типы полупроводниковых приборов, управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходи выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток – H01L29/861 – диоды – объект 5.
В процессе исследований была проведена статистическая оценка патентной защиты по вышеназванным 5 объектам. Изучение динамики патентования – это эффективный и широко используемый метод для анализа состояния конкретной области техники. В данном случае – это пять типов полупроводниковых приборов: биполярные плоскостные транзисторы, биполярные приборы типа тиристоров, униполярные приборы с переносом заряда, полевые транзисторы и диоды.
Изобретательская активность, показателем которой является количество полученных патентов, является следствием вложения финансовых средств в разработку и может свидетельствовать либо об устранении конкретных технических проблем, либо о появлении новых принципиальных решений. Поэтому изучение динамики патентования (изобретательской активности) в отношении выбранных типов полупроводниковых приборов позволяет определить наиболее прогрессивное направление развития технических решений, используемых при усовершенствовании этих полупроводниковых приборов.
Для построения динамических кривых результаты патентных исследований по РФ были систематизированы в двух таблицах. В таблице 1 отобранные патенты систематизированы по годам публикации патентов в соответствии с 5 объектами по 5 рубрикам МПК. В таблице 2 показан рост суммарного количества патентов за период с 2007 по 2016 год включительно. На основе кумулятивных динамических рядов патентования, характеризующих рост общего количества изобретений по 5 объектам исследования, построены графики динамики изобретательской активности