6
ЭБС «Знаниум». Режим доступа: http://znanium.com/bookread2.php?book =892456. Загл. с экрана.
2. Левицкий, А. А. Проектирование микросхем. Программные средства обеспечения САПР [Электронный ресурс] : учеб. пособие / А. А. Левицкий, П. С. Маринушкин. Красноярск : Сиб. Фед. ун-т, 2010. 156 с. ЭБС «Знани-
ум». Режим доступа: http://znanium.com/bookread2.php?book=442124. Загл. с
экрана.
3.Шелохвостов, В.П. Проектирование интегральных микросхем: учебное пособие / В. П. Шелохвостов, В. Н. Чернышов. 2-е изд., стер. Тамбов: Издво Тамб. гос. техн. ун-та, 2008. 208 с. ЭБС «Единое окно доступа к образовательным ресурсам».
4.Томилин, В. И. Технология производства электронных средств : орга- низационно-методическое обеспечение курсового проектирования по дисциплине [Электронный ресурс] : учеб. пособие / И. И. Томилин, Н. П. Томилина, Н.
А. Алексеева. Красноярск : Сиб. Фед. ун-т, 2012. 120 с. ЭБС «Знаниум».
Режим доступа: http://znanium.com/bookread2.php?book=492806. Загл. с экра-
на.
5. Технология материалов и изделий электронной техники: Лабораторный практикум / Г.Д. Кротова, В.Ю. Дубровин, В.А. Титов, Т.Г. Шикова; ГОУ ВПО Иван. гос. хим.-технол. ун-т. Иваново, 2007. 156 с. ЭБС «Единое окно доступа к образовательным ресурсам».
6. Стариков, А.В. Технология производства микроконтроллеров : методические указания к лабораторным работам для направления подготовки бакалавра 15.03.04 – «Автоматизация технологических процессов и производств» для очной и заочной форм обучения / А.В. Стариков; М-во науки и высшего образования РФ, ФГБОУ ВО «ВГЛТУ». – Воронеж, 2019. – 36 с.
Для качественного освоения дисциплины потребуются следующие ресурсы информационно-телекоммуникационной сети «Интернет»:
ЭБС «Знаниум»: http://www.znanium.com;
ЭБС «Единое окно доступа к образовательным ресурсам»: http://window.edu.ru/;
сайт с обширной подборкой научной, учебной и учебно-методической литературы, представленной в виде библиотеки открытых электронных
источников: http://www.twirpx.com.
Поскольку лекции читаются не в полном объёме дисциплины, то студентам на самостоятельное изучение выносится ряд тем (табл. 1). Преподаватель сообщает студентам их общее содержание и организует контроль знаний по заявленным темам.
|
|
Таблица 1 |
|
|
|
№ |
Тема самостоятельно работы |
Номер источника |
п/п |
|
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
|
|
1 |
Пути снижения минимальных размеров элементов. |
1, 2 |
7
|
|
Окончание табл. 1 |
1 |
2 |
3 |
|
|
|
2 |
Особенности расчета структур планарных транзи- |
1, 2 |
|
сторов. |
|
3 |
Расчет емкостей полевого транзистора и его час- |
1, 2 |
|
тотные свойства. |
|
4 |
Функционально-интегрированные структуры. |
2, 3 |
5 |
Паразитные эффекты в конструкциях полупровод- |
1, 3 |
|
никовых ИМС. |
|
6 |
Функциональный и интегрально-групповой прин- |
1, 2 |
|
ципы компоновки ГИС. |
|
7 |
Конструктивно-технологические требования и ог- |
1, 2 |
|
раничения на ГИС. |
|
Проверка качества освоения разделов (тем) дисциплины осуществляется посредством текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации студентов. Результаты текущего контроля отражаются в баллах модульнорейтинговой системы оценки знаний.
После завершения лекционного курса и выполнения лабораторного практикума студент допускается к сдаче зачета по дисциплине «Технология производства микроконтроллеров». Перечень вопросов для подготовки к сдаче дифференцированного зачета приведен ниже.
3.Вопросы выходного контроля (дифференцированного зачета)
1.Предмет дисциплины и её задачи.
2.Классификация полупроводниковых приборов и интегральных микросхем по функциональным, структурным и конструктивнотехнологическим признакам.
3.Элементы полупроводниковых ИС.
4.Методы изоляции элементов и их конструктивные особенности.
5.Пути снижения минимальных размеров элементов.
6.Конструктивно-технологические особенности и исходные данные для расчета.
7.Расчет и построение профилей распределения примеси в полупроводниковых структурах.
8.Расчет токов через p-n-переход, связанных с инжекцией и экстракцией носителей заряда.
9.Особенности топологии диодов полупроводниковых ИМС.
10.Расчет постоянных составляющих токов эмиттера и коллектора.
11.Расчет основных статических параметров транзистора.
12.Особенности расчета структур планарных транзисторов.
13.Конструктивный расчет топологии транзистора.
14.Конструкции полупроводниковых резисторов.
15.Расчет объемного и поверхностного удельного сопротивления.
16.Расчет параметров резисторов.
8
17.Температурный коэффициент сопротивления.
18.Частотный диапазон полупроводниковых резисторов.
19.Конструкции полупроводниковых конденсаторов. Эквивалентные схемы.
20.Расчет полупроводниковых конденсаторов.
21.Схемотехнические и конструктивно-технологические особенности униполярных транзисторов.
22.Расчет крутой и пологой частей статических характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором (МДП-транзисторов).
23.Расчет малосигнальных параметров полевых транзисторов.
24.Расчет крутизны характеристики МДП-транзистора.
25.Расчет сопротивления канала в открытом состоянии транзистора и активной составляющей выходной проводимости.
26.Расчет емкостей полевого транзистора и его частотные свойства.
27.Конструктивный расчет топологии транзистора.
28.Паразитные МДП-структуры и конструирование охранных колец.
29.Основные элементы конструкции полупроводниковых приборов и ИМС.
30.Этапы проектирования ИМС.
31.Особенности конструкции полупроводниковых приборов.
32.Полупроводниковые приборы в качестве компонентов гибридных ИМС.
33.Конструкции и свойства бескорпусных полупроводниковых приборов.
34.Особенности проектирования ИМС.
35.Функциональное, схемотехническое и топологическое проектирование ИМС.
36.Функционально-интегрированные структуры.
37.Критерии оценки качества конструкции.
38.Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИМС.
39.Особенности конструкции БИС и СБИС.
40.Конструктивно-технологические требования и ограничения на полупроводниковые ИС.
41.Конструкторская документация на полупроводниковые приборы и ИМС.
42.Стандартизация и конструкции корпусов ИМС.
43.Конструкции элементов гибридных интегральных схем (ГИС).
44.Этапы проектирования ГИС.
45.Расчет пленочных резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности.
46.Функциональный и интегрально-групповой принципы компоновки ГИС.
47.Методы подгонки резисторов ГИС.
48.Паразитные связи и помехи в ГИС.
49.Конструктивно-технологические требования и ограничения на ГИС.
9
Стариков Александр Вениаминович
Технология производства автоматизации и управления
Методические указания для самостоятельной работы по направлению подготовки бакалавра 15.03.04 – «Автоматизация технологических процессов и производств»
для очной формы обучения
Редактор С.Ю. Крохотина
Подписано в печать |
Формат бумаги |
Заказ |
|||
Объем |
п.л. |
Усл. п.л. |
Уч-изд. л. |
Тираж |
|
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова»