11
Для исследований используется селеновый фотоэлемент (солнечная батарея), представляющий собой контакт дырочного полупроводника (селен) и металла (железная подложка). Фоторезистор состоит из светочувствительного слоя полупроводника толщиной около 1 мкм, нанесенного на стеклянную пластинку. На поверхность полупроводника нанесены токонесущие электроды.
Рис. 3. Схема установки для исследования фотоэлектрических явлений в полупроводниках
Вопросы на дискуссию по теме «Температурное сканирование биокомпозитов»
1.Какими механизмами можно моделировать процесс пироэлектрического эффекта в древесине?
2.Перечислите области практического применения пироэлектрических свойств полимеров и полимерных композитов.
3.В рамках какой физической модели рассмотрены механизмы возникнове-
ния пироэлектричества в полимерах?
4. Обоснуйте адекватность базовой модели предложенной феноменологиче-
ской теории возникновения пироэлектрического эффекта в древесине.
5. Составьте конспект вывода основного уравнения поляризационного эф-
фекта в древесине.
6. В рамках какой физической модели можно получить разность потенциалов в древесине при перепаде температуры окружающей среды?
12
Тема практического занятия «Исследование сопротивления полупроводникового терморезистора с помощью МУК ФОЭ 1»
Задача – определить коэффициент температурной чувствительности и ширину запрещенной зоны терморезистора. Представить отчет по результатам исследований с оценкой точности используемой методики эксперимента и физики наблюдаемых явлений.
Теоретический минимум Основополагающий принцип. Квантовомеханический принцип за-
прета Паули, согласно которому каждое состояние может быть занято не более чем одним электроном.
Терморезистором (термистором) называется полупроводниковое сопротивление, величина которого резко зависит от температуры. Ма-
лые габариты, высокая механическая прочность и надежность, большой срок службы и высокая чувствительность терморезисторов определили их широкое применение в приборах для измерения и регулирования температуры, температурной компенсации элементов электрических цепей, измерения мощности электромагнитного излучения и т.д.
У большинства термисторов сопротивление уменьшается с увеличением температуры, т.е. их дифференциальное сопротивление отрицательно.
Свойства термисторов определяются температурной характеристикой, которая представляет собой зависимость сопротивления R от температуры Т и носит экспоненциальный характер:
R = R∞ exp B/T, |
(5) |
где R∞ – постоянная, характеризующая материал и размеры термистора, В – коэффициент температурной чувствительности, который постоянен для данного термистора и зависит от свойств его материала, его можно определить из экспериментальных данных, используя зависимость:
B |
ln R1 / R2 |
, |
(6) |
|
1/ T 1/ T |
||||
|
1 |
2 |
|
|
где R1, R2 – сопротивления термистора при температурах Т1 и Т2.
13
Используемая аппаратура: модульный учебный комплекс МУК-
ФОЭ1, включающий в себя: стенд с объектами исследования С3-ТТ01 (см.
рис. 1); блок генератора напряжений ГН1; блок амперметра-вольтметра АВ1.
В стенде С3-ТТ01 установлен полупроводниковый оксидный терморезистор,
нагреватель, а также термометр, показывающий термодинамическую темпе-
ратуру Т.
Рис. 1. Принципиальная схема установки |
Рис. 2. Стенд с объектами исследования |
Кроме того, на практических занятиях проходит обсуждение индивидуальных заданий. Индивидуальное задание позволяет самостоятельно проверить усвоение дисциплины и выявить вопросы для обсуждения с преподавателем.
Варианты индивидуального задания Вариант №1
1. Известно, что в кристалле, в котором связи обусловлены силами Ван-дер-Ваальса, равновесное межатомное расстояние r0 = 1,50 Å, а энергия на 10% меньше, чем в случае, когда учитываются только силы притяжения. Чему
равна характерная длина , входящая в выражение: U = – |
A |
|
|
r |
|
||
|
|
B exp |
|
|
|
? |
|
|
6 |
|
|||||
|
r |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2.Определить плотность кристалла стронция, если известно, что кристаллическая решетка гранецентрированной кубической сингонии, а период решетки равен 0,43 нм.
3.Определить величину квазиимпульса фонона соответствующего час-
тоте =0,4 max. Усредненное значение скорости звука в кристалле < >=2000 м/с, характеристическая температура Дебая Д=150К. Дисперсией звуковых волн в кристалле пренебречь.
14
Вариант №2
1. Межатомное расстояние в положении равновесия r0 = 3Å, энергия диссоциации (расщепления нейтральной молекулы на противоположно заряженные ионы) молекулы Uд= – 4 эВ. Вычислить значения коэффициентов и, если n = 2, m = 10. Найти силы, стремящиеся вернуть атомы в положение равновесия при изменении межатомного расстояния r0 на 10 %.
2.Плотность кристалла NaCl равна =2,18 103 кг/м3. Атомный вес натрия равен 23, а хлора – 35,46. Определить постоянную решетки.
3.Определить скорость звука в кристалле поваренной соли, зная, что температура Дебая равна 1670 К и а=1,04 Å.
Вариант №3
1.Вычислить значение энергии кристаллической решетки NaCl, если постоянная n, характеризующая потенциал сил отталкивания, равна 9,4 , а постоянная Маделунга 1,75. Постоянная решетки NaCl равна 2,81 Å.
2.Чему равно число атомов в элементарной ячейке гексагональной плотноупакованной решетки?
3.Вычислить минимальную длину волны Дебая в титане, если его характеристическая температура 278 К, а скорость распространения звука
6000 м/с.
Вариант №4
1.Вычислить энергию отталкивания для КСl, если энергия диссоциа-
ции равна (–4,40) эВ. Принять r0 = 2,79 Å, энергию ионизации атома калия равной 4,34 эВ, энергию сродства атома хлора к электрону (–3,82 эВ).
2.Пусть гранецентрированная кубическая и гексагональная решетки построены из одинаковых атомов, представляющих собой жесткие сферы с радиусом r. Показать, что часть объема, занятая атомами при таком располо-
жении, равна:
2 0,74 .
6
3. Найти энергию фонона, соответствующего граничной частоте Дебая, если характеристическая температура Дебая равна 250 К.
Вариант №5
1.Рассмотреть, к каким возможным последствиям для постоянной решетки, сжимаемости и энергии решетки приведет удвоение заряда хлористого натрия, если считать, что потенциал отталкивания останется постоянным.
2.Два элемента а и b образуют кристалл аb, у которого решетка типа NaCl. Показать, что атомы, расположенные по диагонали грани куба, не мо-
гут касаться друг друга, если ra больше чем 2,44.
rb
3. Какова максимальная энергия фононов в кристалле свинца, если его характеристическая температура равна 94 К?
Текущий контроль тоже осуществляется на практических занятиях через обсуждение решений стандартных задач. Таким способом аспирант закрепляет информацию полученную в дискуссии.
|
15 |
|
Варианты тестовых заданий для текущего контроля |
|
Вариант №1 |
|
|
№ |
Формулировка вопроса |
1.Как изменится энергия электрона, соответствующая триплету (1,1,1) в 0- D объекте, если размер объекта увеличить в 2 раза?
1) |
увеличится в 2 раза |
2) уменьшится в 4 раза |
3) |
не изменится |
4) уменьшится в 2 раза |
2.На рисунке дана схема энергетических уровней атома водорода, а также условно изображены переходы электрона с одного уровня на другой, сопровождающиеся излучением кванта энергии. В ультрафиолетовой области спектра эти переходы дают серию Лаймана, в видимой области – серию
Бальмера, в инфракрасной области – серию Па- |
|
||
шена и т.д. |
|
|
|
Минимальная длина волны в серии Бальмера соответствует переходу… |
|||
1) n1=1, n2=2 |
2) n1=3, n2=∞ |
3) n1=2, n2=3 |
4) n1=2, n2=∞ |
3. Максимальная длина волны в серии Лаймана соответствует переходу… |
|||
1) n1=1, n2=2 |
2) n1=3, n2=∞ |
3) n1=2, n2=3 |
4) n1=2, n2=∞ |
4.Определите отношение минимальной длины волны в серии Бальмера к максимальной длине волны в серии Лаймана.
5.Трансляционная группа в кристалле называется …
1) |
зоной Брюллюена |
2) 1-D квантовым объектом |
||
3) |
решеткой Браве |
4) 2-Dквантовым объектом |
||
6. Какую минимальную энергию могут иметь в кристалле электроны? |
||||
|
1) W=Wd |
2) W=Wa |
3) W=Wc |
4) W=WV |
7.Как известно, распределение носителей заряда по уровням энергии не является равномерным и зависит от значения энергии W и температуры. Для дырок с энергией W функция распределения имеет вид…
1) |
Fn |
(W ,T ) Aexp((W Wc ) kT) |
2) Fn (W ,T ) 1 (exp((W WF ) kT) 1) |
3) |
Fn |
(W ,T ) Aexp( (W WV ) kT) |
4) Fn (W ,T ) Aexp(W kT) |
8.При низком уровне инжекции для концентраций неравновесных носителей справедливо…
|
|
|
1) np n02 |
2) np n02 |
3) np n02 |
4) n p |
||
|
|
|
|
Вариант №2 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
№ |
|
|
Формулировка вопроса |
|
|
||
|
1. |
Как изменится энергия электрона, соответствующая триплету (1,1,1) в 0- |
||||||
|
|
D объекте, если размер объекта уменьшить в 2 раза? |
||||||
|
|
1) |
увеличится в 2 раза |
2) уменьшится в 4 раза |
||||
|
|
3) |
не изменится |
|
4) увеличится в 4 раза |
|||