16
ПРИЛОЖЕНИЕ Д Оформление оглавления пояснительной записки
|
ОГЛАВЛЕНИЕ |
ВВЕДЕНИЕ.................................................................................................................. |
3 |
1 Название .................................................................................................................... |
4 |
1.1 Название ................................................................................................................. |
4 |
1.2 Название ................................................................................................................ |
6 |
2 Название ................................................................................................................... |
8 |
2.1 Название ................................................................................................................. |
8 |
2.2 Название ............................................................................................................... |
12 |
3 Название ................................................................................................................. |
18 |
3.1 Название ............................................................................................................... |
18 |
3.2 Название ............................................................................................................... |
21 |
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ......................................................................................................... |
24 |
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ......................................................................................... |
25 |
ПРИЛОЖЕНИЕ А. Название .................................................................................. |
26 |
17
ПРИЛОЖЕНИЕ Е
Фундаментальные физические постоянные
Числовые значения констант даны с таким числом знаков, чтобы при возможном их уточнении изменение произошло не более чем на единицу в предпоследней значащей цифре.
Скорость света в вакууме
с= 2,9979∙108 м/с.
Постоянная Планка h = 6,62∙10-34 Дж.c,
ћ = h/2π = 1,05∙10-34 Дж·c.
Заряд электрона е = 1,60∙10-19 Кл,
Масса покоя электрона me = 9,108∙10-31 кг.
Число Фарадея
F = eNa = 9,6485∙104 Кл/моль,
где Na – число Авогадро;
Na = 6,022∙1023 моль-1.
Постоянная Больцмана
k |
R |
1,3807 10-23 Дж/ К, |
|
||
|
N а |
|
где R – универсальная газовая постоянная;
R = 8,314 Дж/(моль К).
Магнитная постоянная
μ0=12,56·10-7 Гн/м.
Электрическая постоянная
ε0=8,85·10-12 Ф/м.
Абсолютный нуль температуры
0 К = -273,15ºС.
18
ПРИЛОЖЕНИЕ Ж Свойства полупроводников
Наименование параметра |
Ge |
Si |
GaAs |
|
|
|
|
|
|
Атомный номер |
32 |
14 |
|
|
|
|
|
|
|
Атомная масса |
72,59 |
28,08 |
72,32 |
|
|
|
|
|
|
|
решетка |
решетка |
решетка |
|
Кристаллическая структура |
типа |
типа |
типа цинк. |
|
|
алмаза |
алмаза |
обманки |
|
|
|
|
|
|
Постоянная решетки, нм |
0,566 |
0,543 |
0,563 |
|
|
|
|
|
|
Концентрация атомов, 1028 м -3 |
4,42 |
4,99 |
1,3 |
|
|
|
|
|
|
Плотность (при 250С), 103 кг м -3 |
5,32 |
2,33 |
5,3 |
|
|
|
|
|
|
Твердость по шкале Мооса |
6,25 |
7 |
- |
|
|
|
|
|
|
Относительная диэлектрическая проницаемость |
16 |
12 |
11,1 |
|
|
|
|
|
|
Показатель преломления |
4,1 |
3,42 |
3,4 |
|
|
|
|
|
|
Работа выхода, эВ |
4,78 |
4,8 |
- |
|
|
|
|
|
|
Термическая ширина запрещенной зоны, эВ |
|
|
|
|
экстраполированная к 0 К |
0,74 |
1,21 |
1,52 |
|
при 300 К |
||||
0,67 |
1,12 |
1,43 |
||
|
||||
|
|
|
|
|
Температура плавления, ºС |
937 |
1420 |
1238 |
|
|
|
|
|
|
Температура кипения, ºС |
2700 |
2600 |
- |
|
|
|
|
|
|
Теплоемкость (при 300 К) Дж/(моль К) |
22,919 |
19,483 |
- |
|
|
|
|
|
|
Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1 |
6,1 |
4,2 |
5 |
|
|
|
|
|
|
Теплопроводность, Вт/м (25ºС) |
58,6 |
83,7 |
44 |
|
|
|
|
|
|
Наименование параметра |
Ge |
Si |
GaAs |
|
|
|
|
|
|
Подвижность (при 300 К) |
|
|
|
|
дырок, см2/(Вс) |
1820 |
470 |
435 |
|
электронов, см2/(Вс) |
3800 |
1300 |
11000 |
|
Коэффициент диффузии (300 К) |
|
|
|
|
электронов, см2/с |
98 |
34 |
220 |
|
дырок, см2/с |
47 |
12 |
11 |
|
Критическая напряженность поля |
|
|
|
|
для электронов, В/см |
900 |
2500 |
3000 |
|
для дырок, В/см |
1400 |
7500 |
- |
|
|
|
|
|
|
Критическая скорость |
|
|
|
|
электронов, 104 м/с |
3,2 |
3,3 |
- |
|
дырок, 104 м/с |
2,4 |
2,8 |
- |
|
Удельное сопротивление собственного полупроводника |
47 |
2,3·105 |
- |
|
(300 K), Ом.см. |
||||
|
|
|
||
|
|
|
|
|
Относительная эффективная масса |
|
|
|
|
электронов |
0,12 |
0,26 |
0,043 |
|
дырок |
0,28 |
0,49 |
0,68 |
|
|
|
|
|
|
Концентрация собственных носителей заряда каждого |
2,5·1013 |
1,5·1010 |
9,21·1013 |
|
знака (300 К), см-3 |
||||
|
|
|
19
Владимир Константинович Зольников Светлана Анатольевна Евдокимова Татьяна Владимировна Скворцова
ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Методические указания к выполнению курсовой работы для студентов по направлению подготовки
09.03.02 – Информационные системы и технологии
|
|
Редактор |
|
Подписано в печать |
. Формат 60 90 /16. |
Объем |
п. л. |
Усл. печ. л. |
. Уч.-изд. л. . Тираж |
экз. Заказ |
|
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова»
РИО ФГБОУ ВО «ВГЛТУ». 394087, г. Воронеж, ул. Тимирязева, 8 Отпечатано в УОП ФГБОУ ВО «ВГЛТУ»
394087, г. Воронеж, ул. Докучаева, 10