Материал: Расчет тока насыщения

Расчет тока насыщения

Министерство образования РФ

Томский университет систем управления радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра Физической Электроники

Индивидуальное задание № 1

Принял: Троян П.Е.

Выполнил: студент гр.361-4 Юрикова Д.С.

Томск

Задание:

Диод Шотки на основе структуры алюминий-кремний при обратном смещении 8В имеет плотность обратного тока А/см

Концентрация электронов в кремнии при температуре  K

Постоянная

)        Определить изменение потенциального барьера за счет эффекта Шотки при U=8В.

2)      Определить высоту барьера Шотки.

)        Определить ток насыщения, если площадь контакта S=

.1) Определим предельное обратное напряжение

2.2)   Определим предельное прямое напряжение

Определим сопротивление базы.

Рассчитаем ток насыщения

,

тогда предельное прямое напряжение будет равно

.1) Построим обратную ветвь вольт - амперной характеристики.

.2) Построим прямую ветвь вольт - амперной характеристики.

ток насыщение барьер диод