Курсовая работа (т): Расчёт электронно-дырочного перехода

Стабилитроны. Полупроводниковым стабилитроном называют полупроводниковый диод с быстрым нарастанием обратного тока при пробое р-п перехода и нормированным значением пробивного напряжения. Основное назначение стабилитронов - стабилизация напряжения. Интегральные стабилитроны могут быть сформированы на базе структуры интегрального транзистора в различных вариантах в зависимости от необходимого напряжения и его температурного коэффициента. Обратное включение диода Б-Э используют для получения напряжения 5... 10 В с температурным коэффициентом +(2...5) мВ/°С. Диод работает в режиме лавинного пробоя. Обратное включение диода БЭ-К применяют для получения напряжения 3...5 В (явление прокола базы, температурная чувствительность -(2...3) мВ/°С). Один или несколько последовательно включенных в прямом направлении диодов БК-Э могут быть использованы как источники напряжения, равного напряжению на открытом переходе (около 0,7 В) или кратного ему. Их температурная чувствительность -2 мВ/°С. В температурно компенсированном стабилитроне, сформированном на основе базового и эмиттерного слоя, при подаче напряжения между n+ слоями один переход работает в режиме лавинного пробоя, второй - в режиме прямого смещения. Температурная чувствительность напряжения на этих двух переходах имеет противоположный знак, поэтому суммарная температурная чувствительность такого стабилитрона менее ±2 мВ/°С.

полупроводниковый диод схема вольтамперный

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, псле выполнения задания на курсовую работу были более детально изучены общие сведения по диодам, физические принципы работы, технологии получения p-n перехода, использование диодных структур в интегральных микросхемах и другие особенности полупроводниковых приборов.

По разработанной методике был рассчитан p-n переход, полученный диффузионным методом.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энергия, 1977.- 672с.

. Трутко А. Ф. Методы расчёта транзисторов. - М.: Энергия, 1971.

3. Королев В.Л., Карпов Л.Д. Конструирование полупроводниковых интегральных схем. - Красноярск, 1992. 118с.

4. Тугов Н. М. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990.

. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ. -
2-е перераб. и доп. Изд. -М.: Мир, 1984. -456с.