Материал: пример оформления
Сумський державний університет
Факультет електроніки та інформаційних технологій
Кафедра прикладної фізики
РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНА РОБОТА
з дисципліни
“ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ”
Варіант №7
Виконав: Кабашний В.В.,
студент групи ФЕ-31
Перевірив: Опанасюк Н.М.,
доцент
Завдання 1. Зобразити та описати послідовність формування наступних структур напівпровідникових мікросхем:
Завдання 2. Розробити схему технологічного процесу виготовлення наступних структур напівпровідникових мікросхем:
Окислена
пластина р-типу Епітаксійне
нарощення n+
1літографія
під прих. шар SiO2 Окиснення
2фотолітографія
SiO2 Окиснення
Епітаксійне
нарощення n+
Шліфування,
зачищення
Дифузія p
- домішки Анізотропне
травлення Шліфування
Окиснення
контактів
Напилення
полі-Si
Нарощення
шару Si3N4
3фотолітографія
по Si3N4
Окиснення
Шліфування
полi-Si
Полірування
полі-Si
4фотолітографія
по Si3N4
Дифузія
домішки n+
Відпалювання
контактів 5фотолітографія
по Si3N4
Металізація
Аl Окиснення
Контроль
електричних параметрів мксх
Монтаж
кристала в корпус
Монтаж
зовнішніх виводів
Розділення
пластин на кристали
Випробування
ІМС
Маркування,
упаковка
Герметизація
Завдання 3. Зобразити графічно залежність концентрації різних легуючих елементів з глибиною при дифузії їх у кремній протягом 1 години при початковій концентрації N0, якщо дифузія відбувається при температурі Т, зазначеній в таблиці 2.
|
Елемент |
D0 , см2/с |
Ea, еВ |
T |
|
В |
25 |
3,51 |
975 K |
Будуємо графік залежності:
|
N*10^16, см-3 |
x*10^-7, см |
|
5 |
0 |
|
4,95 |
0,5 |
|
4,80 |
1 |
|
4,58 |
1,5 |
|
4,28 |
2 |
|
3,92 |
2,5 |
|
3,52 |
3 |
|
3,10 |
3,5 |
|
2,68 |
4 |
|
2,27 |
4,5 |
|
1,89 |
5 |
|
1,54 |
5,5 |
|
1,23 |
6 |
|
0,97 |
6,5 |
|
0,74 |
7 |
|
0,56 |
7,5 |
|
0,41 |
8 |
|
0,30 |
8,5 |
|
0,21 |
9 |
|
0,15 |
9,5 |
|
0,10 |
10 |
|
0,06 |
10,5 |
|
0,04 |
11 |
|
0,02 |
11,5 |
|
0,01 |
12 |
Рис.1 Залежність N(x)
СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
1. Опанасюк Н.М. Технологічні основи електроніки (практикуми): навчальний посібник / Н.М.Опанасюк, Л.В.Однодворець, А.О.Степаненко, С.І.Проценко. - Суми: Сумський державний університет, 2013.- 105 с.
2. Готра З.Ю. Технологія електронної техніки: навч. посібник в 2 т. / З.Ю.Готра. - Львів: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка».-Т.1.- 2010.- 888 с.
3. . Готра З.Ю. Фізичні основи електронної техніки: навч. посібник в 2 т. / З.Ю.Готра.- Львів: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка» -Т.2.- 2010.- -884 с.
4. Готра З.Ю. Технологія електронної техніки: / З.Ю.Готра, І.Є. Лопатинський, Б.А. Лукіянець та ін.; за ред.З.Ю.Готри.- Львів: Видавництво «Бескид Біт» , 2004.- -880 с.
5. Прищепа М.М. Мікроелектроніка: в 3 ч. / М.М. Прищепа, В.П. Погребняк. - Київ: Вища школа. - Ч.1.
Суми 2015