Материал: ЛБ-3 Кшинин И 1Б92

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э–09 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

ОТЧЁТ О РАБОТЕ

Работу выполнил:

фамилия Кшинин

имя Иван

отчество Бахтиёрович

группа 1Б92

КРАТКОЕ ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Энергия активации проводимости — это ...

Энергия необходимая для создания носителей заряда, или энергия, которую нужно затратить чтобы перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости.

Существуют полупроводники n-типа и p-типа, схематично представленные на рисунке

Роль примеси в проводнике n-типа:

Сама примесь в полупроводнике используется для увеличения числа носителей заряда, плюса или минуса. Они бывают донорные и акцепторные.

В полупроводнике n типа при повышении температуры электрон будет оторван от примеси и может свободно перемещаться по кристаллу, а по типу примеси донорная.

Если сказать по-другому, то: донорные примеси — это примеси, которые поставляют электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок.

Роль примеси в проводнике p-типа:

С примесью типа акцепторной, образуется свободная дырка, перемещающаяся со связями и принимающая участие в проводимости кристалла.

На эмпирической диаграмме

Ec — Дно зоны проводимости

Ev — Потолок валентной зоны

Ea — Энергетический уровень

Ed — Энергетические уровень

E — Соответствующие энергии активации

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э–09 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

Ea — Энергия активации, а

Ed — Энергия активации д

Сопротивление полупроводника уменьшается с ростом температуры согласно уравнению:

 

R =

 

 

где

 

 

 

R0 — Постоянная величина полупроводника

 

E — Энергия

 

 

 

k — Постоянная Больцмана (К->k)

 

 

T — Абсолютная температура

 

 

Если построить зависимость ln Rот 1 T , то она должна иметь вид Прямой

,

из которой определяют значение

Энергии

.

 

 

активации

 

 

РАСЧЁТНЫЕ ФОРМУЛЫ

R =

U

,

I

 

 

E = 2k tg ,

 

U

Напряжение

 

I

Ток

где

k

Постоянная Больцмана

 

tg φ —

Тангенс угла к прямой оси абсцисс

 

E

Энергия

СХЕМА УСТАНОВКИ

Обозначения

П — Потенциометр

ТС — Термисторпеременное

 

сопротивления

V

Вольтметр

μA

Микроамперметр

K

Кнопкапереключатель

ε —

Источник тока

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э–09 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ

Таблица 1

U (В)

 

0.5

 

1

 

 

1.5

 

2

 

2.5

 

3

 

3.5

 

4

 

4.5

 

5

 

5.5

 

6

 

 

6.5

 

7

 

I (A), 10–5

 

 

6

 

 

 

13

 

 

19

 

 

24

 

 

31

 

 

38

 

 

45

 

 

52

 

 

60

 

 

68

 

 

75

 

 

 

84

 

 

92

 

 

99

 

t, °C

 

T, K

 

20

 

 

25

 

 

30

 

 

35

 

 

40

 

 

45

 

 

50

 

 

55

 

 

60

 

 

65

 

 

70

 

 

75

 

 

80

 

 

85

 

 

90

 

 

95

 

 

100

 

1T

293,15 0,003411

298,15 0,003354

303,15 0,003298

308,15 0,003245

313,15 0,003193

318,15 0,003143

323,15 0,003094

328,15 0,003047

333,15 0,003001

338,15 0,002957

343,15 0,002914

348,15 0,002872

353,15 0,002831

358,15 0,002792

363,15 0,002753

368,15 0,002716

373,15 0,002679

, K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2

I (A)

 

 

U (В)

 

 

R (Ом)

 

 

ln R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.000019

 

 

1.5

 

 

78947

 

 

11,276

 

0.000021

 

 

1.5

 

 

71429

 

 

11,176

 

0.000024

 

 

1.5

 

 

62500

 

 

11,042

 

0.000027

 

 

1.5

 

 

55555

 

 

10,925

 

0.000030

 

 

1.5

 

 

50000

 

 

10,819

 

0.000033

 

 

1.5

 

 

45454

 

 

10,724

 

0.000037

 

 

1.5

 

 

40540

 

 

10,610

 

0.000040

 

 

1.5

 

 

37500

 

 

10,532

 

0.000044

 

 

1.5

 

 

34090

 

 

10,436

 

0.000049

 

 

1.5

 

 

30612

 

 

10,329

 

0.000053

 

 

1.5

 

 

28301

 

 

10,250

 

0.000059

 

 

1.5

 

 

25423

 

 

10,143

 

0.000064

 

 

1.5

 

 

23437

 

 

10,062

 

0.000069

 

 

1.5

 

 

21739

 

 

9,986

 

0.000075

 

 

1.5

 

 

20000

 

 

9,903

 

0.000080

 

 

1.5

 

 

18750

 

 

9,838

 

0.000088

 

 

1.5

 

 

17045

 

 

9,743

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э–09 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

1. По данным таблицы 1 строим вольтамперную характеристику полупроводника при комнатной температуре.

График зависимости I = f(U)

Выводы С увеличением значения напряжения увеличивается сила тока, проходящая по проводнику.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э–09 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

2. Строим график температурной зависимости сопротивления по таблице 2.

График зависимости R = f(T)

Выводы С увеличением температуры сопротивление уменьшается